Apple vil skifte fra at bruge TLC (triple-level cell) NAND flash til MLC (multi-level cell) NAND flash i iPhone 6 og iPhone 6 Plus, efter at brugerne har erfarne problemer med nedbrud og boot loop med versioner med højere kapacitet af begge enheder, rapporter Business Korea .
Kilder har fortalt avisen, at flashhukommelsesfirmaet Anobit, som Apple købte i 2011, er skyld i fremstillingsfejlene. Apple vil angiveligt skifte til MLC NAND-flash for 64GB iPhone 6 og 128GB iPhone 6 Plus, og vil også løse problemer med nedbrud og boot loop med udgivelsen af iOS 8.1.1. Apple har tidligere brugt MLC NAND-flash i tidligere generationer af iPhones.
TLC NAND-flash er en type solid-state NAND-flashhukommelse, der gemmer tre bits data pr. celle. Den kan gemme tre gange så meget data som single-level cell (SLC), der gemmer en bit data, og 1,5 gange så meget som multi-level cell (MLC) solid-state flash-hukommelse, der gemmer to bits data. Oven i købet er TLC-flash mere overkommelig. Det er dog også langsommere end SLC eller MLC til at læse og skrive data.
Apple frigav sin første iOS 8.1.1 beta til udviklere tidligere på ugen, selvom virksomheden ikke specificerede, om de medfølgende fejlrettelser adresserede opstartssløjfe og nedbrudsproblemer på iPhone 6 og iPhone 6 Plus. Brugere, der oplever en usædvanlig mængde boot-loops og nedbrud med deres iPhone 6 eller iPhone 6 Plus, anbefales at bringe deres enheder tilbage til en Apple-detailbutik for at få en erstatning.
Populære Indlæg